서모 웨이브 아날라이저 TA (Thermowave analyzer TA)
비접촉으로 열확산률을 측정
유기 필름 ~ 다이아몬드까지 폭넓은 범위로 평가 가능
특징
- 레이저를 사용한 비접촉 측정
- 샘플을 두는것 만으로 간단조작
- 측정 위치를 지정할수 있는 샘플 모양의 높은 자유도
- 유기 필름에서 다이아몬드까지 폭넓은 측정 범위
- 조건 설정이 용이한 절대치 측정 방식
- 수평방향과 수직방향의 측정이 가능 → 시료의 이방성을 확인
- 열확산율에서 열전도율, 열침투율로 변환가능
- 분포측정이 가능 → 시료의 결함이나 불균일을 평가
열물성 측정 범위
유기 필름에서 다이아몬드까지 폭넓은 범위의 측정이 가능합니다. 또한 측정이 어려운 고열전도 수지도 측정이 가능해졌습니다. 이층구조 시료 측정이나 가공이 곤란한 물질도 대응합니다.

실제 측정 사례
샘플 |
열확산률 [m2s-1] |
측정치 |
참조치 |
안정화
지르코니아 |
1.1×10-6 |
1.2×10-6 |
알루미나 |
12×10-6 |
12×10-6 |
게르마늄 |
37×10-6 |
35×10-6 |
실리콘 |
89×10-6 |
88×10-6 |
동 |
110×10-6 |
120×10-6 |
은 |
170×10-6 |
170×10-6 |
다결정
다이아몬드 |
720×10-6 |
400~880×10-6 |
그 외 실적
- 사파이어
- 탄탈
- 몰리브덴
- 알루미늄
- 티탄산 스트론튬
- 스테인리스(SRM1461)
- 일반수지
- 등방성흑연
- 질화알루미늄(AlN)
- 질화규소(SiC) etc
|
재료 이방성
XYZ의 3방향 각각의 열확산율이 동일 워크로 측정가능합니다.
시료의 이방성 파악은 하고있습니까?
필러(AlN, SiO2, SiC, CNT등)과 수지의 복합재료는 배합비율로 열전도성이 크게 변화하므로 열확산율의 측정이 필수입니다. 수지계 재료의 측정도 가능합니다.
용도
전자부품의 방열재료 평가, 반도체 레이저의 전극부 평가, 열전 발전재료의 평가, 초경 공구의 코팅 평가 등
샘플 |
측정방향 |
열확산률 [m2s-1] |
측정치 |
참조치※ |
폴리이미드 t=25μm |
수직 |
0.14×10-6 |
0.13×10-6 |
수평 |
0.8×10-6 |
0.73×10-6 |
실리콘 고무 방열 시트 |
수직 |
1.1×10-6 |
NA |
수평 |
1.3×10-6 |
NA |
카본 나노 튜브(CNT) 주입 고무 |
수직 |
0.24×10-6 |
NA |
수평 |
6.0×10-6 |
NA |
그래파이트 시트 |
수직 |
1.9×10-6 |
1.8~2.8×10-6 |
수평 |
100×10-6 |
90~100×10-6 |
고열전도 수지A 20Wm-1K-1급
(Unichika제조) |
수직 |
1.6×10-6 |
2.4×10-6 |
수평 |
16×10-6 |
12×10-6 |
고열전도 수지B 5Wm-1K-1급
(Unichika제조) |
수직 |
0.74×10-6 |
1.2×10-6 |
수평 |
3.9×10-6 |
3.1×10-6 |
- 참조치는 문헌, 카달로그 수치 그외 측정방법에 의한 측정결과를 나타냅니다.
분포 측정
수지 유동상태
동일한 수지라도 성형조건이나 금형의 형태로 열전도성이 변화합니다.
열전도성 분포 평가 (정성치) ※열전도율의 균질도를 그래프화 할 수 있습니다.
동일한 수지라도 성형조건이나 금형의 형태로 열전도성이 변화합니다.
주요 사양
|
TA35 |
TA33 |
TA32 |
TA31 |
측정 대상 |
열확산율 |
측정 범위 |
0.1 ∼ 1000[×10-6m2s-1] |
출력 데이터 |
고주파, 거리, 진폭, 위상, 두께 [TXT형식] |
측정 모드 |
수직 방향 |
○ |
○ |
- |
○ |
수평 방향 |
○ |
○ |
○ |
- |
분포 측정 |
○ |
- |
- |
- |
부속 그 외 |
온도 변화조 히터 |
Option |
Option |
- |
- |
핀트 조정 |
Auto |
Auto |
Manual |
Manual |
제어/해석 소프트웨어 |
○ |
○ |
○ |
○ |
PC |
○ |
○ |
○ |
○ |
측정 환경 |
측정 온도 |
실온 |
측정온도(히터 탑재 시) |
RT ∼ 300[℃] |
- |
측정 주파수 |
0.01[Hz] ∼ 100[kHz] |
반도체 레이저 |
파장 |
808[nm] |
최대 출력 |
1.5[W] |
방사 온도계 |
소자 |
InSb |
냉각 방법 |
액체 질소 |
스테이지 가동 영역 |
검출 스테이지 |
±5[mm] |
±5[mm] |
±5[mm] |
- |
시료 스테이지 |
±10[mm] |
- |
- |
- |
반복 정밀도 |
±5[%] |
전원 |
AC100-240[V], 10-5[A], 50/60[Hz] |
레이저 안전 |
CLASS Ⅰ LASER PRODUCT
IEC/EN 60825-1:2007 |
이용 조건
측정 대상 |
고체 재료 (수지, 유리, 세라믹, 금속, 다이아몬드 그 외) |
시료 외형 |
부정형으로도 가능 |
표면 모양 |
극단적인 요철이 없을것 (두께 규정이 가능하면 좋음) |
표면 처리 |
흑화처리가 필요 (탄소계 재료로는 불필요한 케이스도 있음) |
시료 사이즈 |
최대: 100 × 100 × 2 [mm]
최소: 10 × 10 × 0.015 [mm] |
참고 시료 |
불필요 |
|